Wuhan Precise Instrument Co., Ltd.

Genel bakış Diyot, ışığı akıma dönüştüren bir yarı iletken cihazıdır.Fotodiyot elektrik akımı üretmek için ışık enerjisini giriş olarak kabul eder.. Fotodiyotlar fotodetektorlar, fotosensörler veya fotodetektorlar olarak da bilinir, yaygın olan fotodiyotlar (PIN), çığ fotodiyotları (APD), tek foton çığ diyotları (SPAD),Silikon fotomultiplier (SiPM / MPPC). PIN bağlantı diodu olarak da bilinen fotodiyot (PIN), fotodiyot PN bağlantısının ortasında I tip yarı iletken katmanının düşük olduğu, tükenme alanının genişliğini artırabilir,Difüzyon hareketinin etkisini azaltmak ve yanıt hızını iyileştirmekBu katman katmanının düşük doping konsantrasyonu nedeniyle, neredeyse içsel bir yarı iletken, buna I katman denir, bu yüzden bu yapı PIN fotodiyozu olur; Avalanche fotodiyozu (APD) iç kazançlı bir fotodiyozdur ve fotomultiplier tüpüne benzer bir prensiptir.Ionizasyon çarpışma etkisini kullanarak APD'de yaklaşık 100'lük bir iç akım kazancı elde edilebilir.; Single photon avalanche diode ((SPAD), Geiger modunda APD (Avalanche Photon Diode) işleyişinde tek foton algılama yeteneğine sahip bir fotoelektrik algılama avalanche diodudur.Raman spektroskopisine uygulanır, pozitron emisyon tomografisi ve floresans ömür boyu görüntüleme alanları; Silikon fotomultiplier (SiPM), bir tür leş çökme voltajı üzerinde çalışan ve paralel olarak leş fotodiyot dizisinin leş söndürme mekanizmasına sahiptir.Mükemmel foton sayısı çözünürlüğü ve silikon düşük ışık dedektörünün tek foton algılama hassasiyeti ile, yüksek kazanç, yüksek hassasiyet, düşük yanılma voltajı, manyetik alana duyarlı değil, kompakt yapı. PIN fotodiyotlarının çarpan etkisi yoktur ve genellikle kısa menzilli algılama alanında kullanılır.APD'nin tipik kazancı şu anda 10-100 katı., APD'nin uzun mesafe testi sırasında bir sinyali olmasını sağlamak için ışık kaynağının önemli ölçüde arttırılması gerekir.SPAD tek foton kargaşası diyot ve SiPM / MPPC silikon fotomultiplier, esas olarak kazanç kapasitesini çözmek ve büyük boyutlu dizileri uygulamak için mevcuttur.: 1) SPAD veya SiPM / MPPC, Geiger modunda çalışan bir APD'dir, on binlerce kat kazanç elde edebilir, ancak sistem ve devre maliyetleri yüksektir; 2) SiPM / MPPC, çoklu SPAD'lerin bir dizi biçimidir, daha yüksek tespit edilebilir menzil elde edebilir ve çoklu SPAD'ler aracılığıyla dizi ışık kaynağı ile kullanılabilir,Bu yüzden CMOS teknolojisini entegre etmek daha kolay ve kitlesel üretim ölçeğinin maliyet avantajına sahiptir.Ek olarak, SiPM çalışma voltajı çoğunlukla 30V'den daha düşük olduğundan, yüksek voltajlı bir sisteme gerek yoktur, ana elektronik sistemlerle entegre edilmesi kolaydır.İç milyon seviyesindeki kazanç, arka uç okuma devresine yönelik SiPM gereksinimlerini de basitleştirir.Şu anda, SiPM tıbbi enstrümanlarda, lazer algılama ve ölçüm (LiDAR), hassas analiz, radyasyon izleme, güvenlik algılama ve diğer alanlarda, SiPM'nin sürekli gelişmesiyle daha fazla alana yayılacak.   Foto detektör fotoelektrik testi Foto detektörlerin genellikle önce wafer'i test etmeleri,sonra da son karakteristik analiz ve sınıflandırma işlemini tamamlamak için ambalajlandıktan sonra cihaz üzerinde ikinci bir test yapmaları gerekir.Foto detektör çalışırken, ışığı çekmek için ters bir yanılsama voltajı uygulaması gerekir.Yani fotodetektorlar genellikle ters durumda çalışır.Test sırasında, karanlık akım, ters kırılma voltajı, bağlantı kapasitesi, tepkililik ve çapraz ses gibi parametrelere daha fazla dikkat edilir. Dijital Kaynak Ölçümü Meterini Kullanın Foto detektörlerin fotoelektrik performans karakterifikasyonu Fotoelektrik performans parametrelerinin karakterize edilmesi için en iyi araçlardan biri dijital kaynak ölçüm metre (SMU) dir.Dijital kaynak ölçüm ölçümü bağımsız bir voltaj kaynağı veya akım kaynağı olarak, sabit voltaj, sabit akım veya dürtü sinyali çıkarabilir, ayrıca voltaj veya akım ölçümü için bir enstrüman olarak da kullanılabilir; Trig trigger, çoklu enstrüman bağlantısı çalışmasını destekler;Fotoelektrik dedektör tek numune testi ve çoklu numune doğrulama testi için, tam bir test şeması tek bir dijital kaynak ölçüm ölçümü, çoklu dijital kaynak ölçüm ölçümü veya kart kaynak ölçüm ölçümü aracılığıyla doğrudan inşa edilebilir.   PRECISE Dijital Kaynak Ölçü Meter Fotoelektrik dedektörün fotoelektrik test şemasını oluşturun Karanlık akım Karanlık akım, PIN / APD tüpünün aydınlatmadan oluşturduğu akımdır; esasen PIN / APD'nin kendisinin yapısal özellikleri tarafından üretilir, genellikle μA derecesinin altında olur. S serisi veya P serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazı kullanılarak, S serisi kaynak ölçüm cihazının minimum akımı:100 pA ve P serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazının minimum akımı 10 pA'dır.   Test devreleri   Karanlık akımın IV eğrisi Düşük seviye akımı ölçerken (< 1 μA), üçlü koaksiyel konektörler ve üçlü koaksiyel kablolar kullanılabilir.Üç koaksiyel kablo iç çekirdekten oluşur (uygun bağlantı merkezi bağlantıdır), koruyucu katman (önemeyen bağlantı orta silindirli temas) ve dış deri koruyucu katman. Kaynak ölçüm ölçüm cihazının koruyucu ucunun test devresinde,Üç koaksiyel koruma katmanı ile iç çekirdek arasında eşit potansiyel olduğu için.Bu, düşük akım testi doğruluğunu artırabilir.   Kaynak ölçüm ölçümünün arayüzleri   Üç eksenli adaptör   Bozukluk ters voltajı Uygulanan ters voltaj belirli bir değeri aştığında, ters akım aniden artacak, bu fenomene elektrik arızası denir.Elektrik bozukluğuna neden olan diyot ters bozukluk voltajı olarak adlandırılır. Aygıtın farklı özelliklerine göre, gerilim direnci indeksi tutarlı değildir ve test için gerekli enstrüman da farklıdır.S serisi masaüstü kaynak ölçüm ölçümü veya P serisi nabız kaynağı ölçüm ölçümü 300V altında kullanılması önerilir., maksimum voltaj 300V'dir, 300V'den yüksek bir arıza voltajı önerilir ve maksimum voltaj 3500V'dir. Bağlantı devreleri Dönüştürme voltajı IV eğrisi   C-V testi Bağlantı kapasitesi, fotodiyotun önemli bir özelliğidir ve bant genişliğine ve tepkisine büyük bir etkiye sahiptir.Büyük bir PN bağlantı alanına sahip diyotun daha büyük bir bağlantı hacmine ve ayrıca daha büyük bir şarj kondansatörüne sahip olduğunu belirtmek gerekir.Ters yanılsama uygulamasında, bağlantının tükenme bölgesi genişliğini artırmak, bağlantı kapasitesini etkili bir şekilde azaltır ve yanıt hızını artırır.Fotodiyot C-V test şeması S serisi kaynak ölçüm ölçümünden oluşur.Test devresi ve eğri diyagramı aşağıda gösterilmiştir. CV test bağlantı devreleri CV eğrisi Sorumluluk Fotodiyotun tepkililiği, üretilen fotoakımın (IP) belirtilen dalga boyunda ve genellikle A / W'de ters yanlıştır.Yanıt verme kapasitesi kuantum verimliliğinin büyüklüğü ile ilişkilidir., ki bu da kuantum verimliliğinin harici bir şeklidir ve tepki R=IP / Pin'dir. S serisi veya P serisi kaynak ölçüm ölçümünü kullanarak,S serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazının minimum akımı 100 pA'dır., ve P serisi kaynak ölçüm cihazının asgari akımı 10 pA'dır.   Optik geçiş sesi testi (Crosstalk) Lidar alanında, farklı çizgilere sahip Lidar ürünlerinde kullanılan fotodetektor sayısı farklıdır ve fotodetektorlar arasındaki aralık çok küçüktür.Aynı anda karşılıklı optik çapraz konuşma olacak., ve optik çapraz konuşmanın varlığı LIDAR'ın performansını ciddi şekilde etkileyecektir. Optik çapraz ses iki şekil alır: Dizi üzerinde büyük bir açıyla gelen ışık, bitişik fotodetektöre girer ve fotodetektör tarafından tamamen emilemeden önce emilir; ikincisi,Büyük açılı düşen ışığın bir kısmı ışıklı bölgeye düşmez., ancak fotodetektorlar arasındaki bağlantı katmanına yakın ve bitişik cihazın fotosensitif alanına yansıtılır. Dizi dedektörü optik çapraz ses testi esas olarak dizin DC çapraz ses testi için kullanılır.Bu, ışık biriminin, diyot dizisindeki herhangi bir bitişik birim fotoakımının, belirtilen ters yanlıştırma altında oranının maksimum değerini ifade eder., dalga boyu ve optik güç.   S/P Serisi Test Çözümü CS Serisi Çok Kanallı Test Çözümü S serisi, P serisi veya CS serisi çok kanallı test şeması ile test önerilir. Bu şema esas olarak yüksek kanal yoğunluğunun özelliklerine sahip olan CS1003C / CS1010C makinesinden ve CS100 / CS400 alt kartından oluşur.güçlü senkroni tetikleme fonksiyonu ve yüksek çoklu cihaz kombinasyonu verimliliği. CS1003C / CS1010C: Özel çerçeve, 3 Gbps'ye kadar arka plan otobüs bant genişliği, 16 tetikleyici otobüsü destekleyerek, çok kartlı ekipmanların yüksek hızlı iletişim ihtiyaçlarını karşılamak için,CS1003C'de 3 alt kart için yuva var., CS1010C'nin 10 alt kart için bir yuvası var. CS100 alt kartı: Dört çeyreğin çalışma kapasitesine sahip tek kartlı tek kanal alt kartı, maksimum voltajı 300V, minimum akımı 100 pA, çıkış doğruluğu 0,1%, maksimum gücü 30W;En fazla 10 test kanalı. CS400 alt kartı: 4 kanalı olan tek kart dört kanallı kelime kartı, maksimum voltaj 10V, maksimum akım 200 mA, çıkış doğruluğu 0.1%, tek kanalMaksimum gücü 2W; CS1010 ana test kanalı ile 40 tane inşa edebilirsiniz.   Optik Koplama (OC) Elektrik Performansı Test Çözümü Optik birleştirici (optik birleştirici, İngilizce kısaltması OC), fotoelektrik ayırıcı veya fotoelektrik birleştirici olarak da bilinir.Işıkla elektrik sinyalleri ileten bir cihaz. Genellikle üç parçadan oluşur: ışık iletimi, ışık alımı ve sinyal amplifikasyonu.Giriş elektrik sinyali bir ışık yayıcı diyot (LED) 'yi harekete geçirir.Bir dalga boyunda ışık yaymasına neden olur., optik dedektör tarafından alınıp daha da güçlendirilmiş ve çıktısı olan bir fotokurum üretmek için elektrik dönüşümünü tamamlar.Bu nedenle giriş rolü oynamak, çıkış ve izolasyon. Optik çiftlemenin giriş ve çıkışı birbirinden izole olduğu için, elektrik sinyalleri tek yönlü olarak iletilir.Bu yüzden iyi bir elektrik yalıtım yeteneğine ve anti müdahale yeteneğine sahiptir., bu nedenle çeşitli devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Optik çiftleme cihazları için, elektrik performans karakterizasyonunun ana parametreleri şunlardır: ileri voltaj VF, ters akım IR, giriş kapasitesi CIN,Emitter-kollektor arıza voltajı BVcEo, mevcut dönüşüm oranı CTR, vb. Doğrudan Voltaj VF VF, verilen bir çalışma akımında LED'in basınç düşüşünü ifade eder.Test sırasında Perth S serisi veya P serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazı önerilir..   Vf test devreleri Ters Sızıntı Akımı IR Genellikle, fotodiyot üzerinden akan ters akım maksimum ters voltajda, genellikle ters sızıntı akımı nA seviyesindedir.S serisi veya P serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazı, dört çeyreği işleyebilir., devreyi ayarlamadan negatif voltaj çıkarabilir. Düşük seviye akımı (< 1 μ A) ölçerken, üç koaksiyel bağlantı ve üçlü koaksiyel kablo önerilmektedir.   Emitter-kollektör Boşaltma Voltajı BVcEO Açık devre koşullarında çıkış akımı artmaya başladığında VcEo değerine atıfta bulunur.Voltaj direnci indeksi tutarlı değildir., ve test için gerekli enstrüman da farklıdır. S serisi masaüstü kaynak ölçüm ölçüm cihazı veya 300V altında P serisi darbe kaynağı ölçüm cihazı kullanılması önerilir,Maksimum voltajı 300V, 300V'den yüksek bir arıza voltajı önerilir ve maksimum voltaj 3500V'dir.   BVceo test devreleri Mevcut transfer oranı CTR Çıkış borusunun çalışma voltajı belirtilen değere ulaştığında, akım aktarım oranı CTR (Akım aktarım oranı),Çıkış akımı ile ışık yayıcı diyotun ileri akımı arasındaki oran, akım dönüşüm oranı CTR'dir.Test sırasında Perth S serisi veya P serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazı önerilir.   İzolasyon Voltajı İzolasyon voltaj direnci, optik birleştiricinin giriş ve çıkış uçları arasındaki direncdir. Genel olarak, izolasyon voltajı yüksektir ve test için büyük bir voltaj ekipmanına ihtiyaç vardır.E serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazı önerilir, ve maksimum voltajı 3500V.   yalıtım voltaj testi devreleri İzole Kapasitans Cf İzole kapasitans Cr, fotoküplü cihazın giriş ve çıkış terminalleri arasındaki kapasitans değerini ifade eder. Test şeması, S serisi kaynak ölçüm ölçümü, dijital köprü, test klem kutusu ve üst bilgisayar yazılımından oluşur.   yalıtım kondansatörü test devreleri   Cf eğrisi   Sonuçlar Wuhan PERCISE aracı, çekirdek algoritma ve sistem entegrasyon teknolojisi platform avantajlarına dayanan yarı iletken elektrik performans test cihazı geliştirmesine odaklanmıştır.İlk bağımsız araştırma ve geliştirme yüksek hassasiyetli dijital kaynak ölçüm metre, nabız kaynağı ölçüm ölçümü, dar nabız kaynağı ölçüm ölçümü, entegre kart kaynağı ölçüm ölçümü ürünleri yarı iletken cihazı malzemesinin analizi ve test alanında yaygın olarak kullanılır.Kullanıcıların ihtiyaçlarına göreEn verimli, en uygun maliyetli yarı iletken test çözümlerini sunuyoruz.    

Bipolar bağlantı tranzistörü-BJT, yarı iletkenlerin temel bileşenlerinden biridir. Akım amplifikasyonu fonksiyonuna sahiptir ve elektronik devrelerin temel bileşenidir.BJT, birbirine çok yakın olan iki PN bağlantısı olan bir yarı iletken substratında yapılmıştır..İki PN bağlantısı tüm yarı iletkeni üç parçaya ayırır.Orta kısım baz bölgesi,iki taraf ise yayıcı bölge ve toplayıcı bölge. BJT özellikleri, devrelerin tasarlanmasında sıklıkla dikkate alınır, akım amplifikasyon faktörü β, elektrotlar arası ters akım ICBO,ICEO, toplayıcı maksimum izin verilen akım ICM,Ters arıza voltajı VEBO,VCBO,VCEO ve BJT'nin giriş ve çıkış özellikleri. Giriş/çıkış Özellikleri bjt BJT giriş ve çıkış özellikleri eğrisi, bjt'in her bir elektrodunun voltajı ve akımı arasındaki ilişkiyi yansıtır. Bjt'in çalışma özellikleri eğrisini tanımlamak için kullanılır.Genellikle kullanılan bjt karakteristik eğrileri giriş karakteristik eğri ve çıkış karakteristik eğri içerir: Bjt'nin giriş özellikleri Bjt eğrisinin giriş özellikleri, E kutubu ile C kutubu arasındaki gerilim Vce değişmeden kalırken, giriş akımı (yani,Ana akım IB) ve giriş voltajı (yaniVCE = 0, kolektor ve emitör arasındaki kısa devreye eşdeğer, yaniEmitör bağlantısı ve koleksiyon bağlantısı paralel olarak bağlanır.Bu nedenle, bjt eğrisinin giriş özellikleri, PN bağlantısının volt-ampere özelliklerine benzer ve katlanarak ilişkilidir.Eğim sağa kayacak.. Düşük güçli tranzistörler için, 1V'den büyük VcE'li giriş karakteristik eğrisi, 1V'den büyük VcE'li bjt eğrisinin tüm giriş özelliklerini yaklaşabilir. Bjt'nin çıkış özellikleri Bjt eğrisinin çıkış özellikleri, baz akımı IB sabit olduğunda transistör çıkış voltajı VCE ve çıkış akımı IC arasındaki ilişki eğrisini gösterir.Bjt eğrisinin çıkış özelliklerine göre,bjt'nin çalışma durumu üç bölgeye ayrılır.Kapatma alanı: IB=0 ve IB VCE kolektör akım IC, VCE artışıyla hızla artar.Triodun iki PN bağlantısı her ikisi de ileri taraftır., toplayıcı bağlantısı belirli bir alanda elektron toplama yeteneğini kaybeder ve IC artık IB tarafından kontrol edilmez. VCE, IC kontrolü üzerinde büyük bir etkiye sahiptir,ve tüp bir anahtarın açık durumuna eşdeğerdir. Genişletilmiş bölge: Bu bölgede tranzistörün emitör bağlantısı ileriye ve kolektör geriye yönelir. VEC belirli bir voltajı aştığında, eğri temelde düztür.Çünkü kolektor bağlantısı voltajı arttığındaBu nedenle, VCE artmaya devam ettiğinde, akım IC çok az değişir. Ayrıca, IB değiştikçe, IC oranlı olarak değişir.Yani..., IC IB tarafından kontrol edilir ve IC'nin değişimi IB'nin değişiminden çok daha büyüktür.△IC, △IB'ye orantılıdır. Aralarında doğrusal bir ilişki vardır, bu nedenle bu alana doğrusal alan da denir.Güçlendirme devresinde, triod güçlendirme bölgesinde çalışmak için kullanılmalıdır. Kaynak ölçüm metreleriyle bjt özelliklerini hızlıca analiz etmek Farklı malzemelere ve kullanımlara göre, bjt cihazlarının voltaj ve akım gibi teknik parametreleri de farklıdır.İki S serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazı ile bir test planı oluşturmak önerilir.Maksimum voltajı 300V, maksimum akımı 1A ve minimum akımı 100pA.MOSFET testiİhtiyaçları. En fazla akımı 1A ~ 10A olan MOSFET güç cihazları için, bir test çözeltisi oluşturmak için iki P serisi darbeler kaynağı ölçüm ölçüm cihazı kullanılması önerilir.en yüksek voltajı 300V ve en yüksek akımı 10A olan. 10A ~ 100A maksimum akım olan MOSFET güç cihazları için, bir test çözeltisi oluşturmak için P serisi nabız kaynağı ölçüm ölçüm cihazı + HCP kullanılması önerilir.Maksimum akım 100A kadar yüksek ve minimum akım 100pA kadar düşük.. bjt özellikleri - Kutuplar arasındaki ters akım ICBO, üçgenin yayıcısı açık devreyken kolektor bağlantısından akan ters sızıntı akımını ifade eder.IEBO, kolektör açık devreyken yayıcıdan tabanına akımı ifade eder.Test için Precise S serisi veya P serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazı kullanılması önerilir. bjt özellikleri - ters çözme voltajı VEBO, kolektör açıkken yayıcı ile taban arasındaki ters arıza voltajına atıfta bulunur.VCBO, vericinin açık olduğu zaman kolektör ve taban arasındaki ters parçalanma voltajını ifade eder., kolektor bağlantısının çığ çökmesine bağlıdır. Çökme voltajı; VCEO, taban açıkken kolektor ve emitör arasındaki ters çökme voltajını ifade eder,Ve bu kolektor bağlantısının çığ bozulma voltajına bağlı. Test sırasında, cihazın arıza voltajının teknik parametrelerine göre karşılık gelen cihazı seçmek gerekir.Kaynak ölçüm birimiveya arıza voltajı 300V'den düşük olduğunda P serisi darbeler kaynağı ölçüm ölçüm cihazı.En fazla voltaj 300V'dir ve 300V'den yüksek bir arıza voltajı olan cihaz önerilir.E serisi kullanılarak,Maksimum voltajı 3500V. bjt özellikleri-CV özellikleri MOS tüpleri gibi, bjt de CV ölçümleri yoluyla CV özelliklerini karakterize eder.

Bir diyot, yarı iletken malzemelerden yapılan tek yönlü iletken bir bileşendir. Ürün yapısı genellikle sadece bir yönde akışa izin veren tek bir PN bağlantı yapısıdır.Diyotlar düzeltmede yaygın olarak kullanılır, voltaj dengeleme,koruma ve diğer devreler ve elektronik mühendislikte en yaygın kullanılan elektronik bileşenlerden biridir. Diyot Karakteristikleri Testi,diyot üzerine bir voltaj veya akım uygulamaktır ve daha sonra uyarılmaya tepkisini test etmektir.Dijital multimeter gibi.Ancak,bir çok enstrümandan oluşan bir sistemin programlanması,senkronize edilmesi, bağlanması,ölçülmesi ve analiz edilmesi gerekmektedir.zaman alıcı,ve çok fazla test tezgahı alanı alıyor. Karmaşık karşılıklı tetikleme işlemlerinin daha fazla belirsizlik ve daha yavaş otobüs iletim hızı gibi dezavantajları vardır. Dolayısıyla, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristik eğrileri gibi Diyot test verilerini hızlı ve doğru elde etmek için vb.Diyot Özellikleri Testini uygulamak için en iyi araçlardan biri birKaynak ölçüm birimi(SMU). Kaynak ölçüm metre, bağımsız sabit voltaj veya sabit akım kaynağı, voltmetre, ammeter ve ohmmetre olarak kullanılabilir ve ayrıca hassas elektronik yük olarak da kullanılabilir.Yüksek performanslı mimarisi aynı zamanda bir darbeler jeneratörü olarak kullanılmasını sağlar., dalga şekli jeneratörü ve otomatik Akım-Voltaj (I-V) karakteristik analiz sistemi dört çeyreği işlevini destekler. PRECISE kaynak ölçüm metre kolayca diyot iv özelliklerinin analizini gerçekleştirir Diyot iv özelliği, bir yarı iletken diyotunun PN bağlantısının performansını karakterize etmek için ana parametrelerden biridir.Diyot iv özellikleri esas olarak ileri özellik ve ters özellik anlamına gelir.. İleri diyot iv özellikleri Diyotun her iki ucuna da ileri bir voltaj uygulandığında, ileri özelliğin başlangıç kısmında, ileri voltaj çok küçük ve ileri akım neredeyse sıfırdır.Bu bölgeye ölü bölge denir.. Diyot iletkenliği sağlayamayan ileri voltaj ölü bölge voltajı olarak adlandırılır. İletim voltajı ölü bölge voltajından büyük olduğunda,diyot ileri iletir,ve voltaj arttıkça akım hızla yükselir.Normal kullanımın akım aralığında,diyotun terminal voltajı açıldığında neredeyse değişmez kalır ve bu voltaj diyotun ileri voltajı olarak adlandırılır. Ters diyot iv özellikleri Ters voltaj uygulandığında, eğer voltaj belirli bir aralığı aşmazsa, ters akım çok küçüktür ve diyot kesilmiş durumda.Bu akıma ters doymak akımı veya sızıntı akımı denir.Uygulanan ters voltaj belirli bir değeri aştığında, ters akım aniden artacak ve bu olgu elektrik arızası olarak adlandırılacak.Elektrik arızasına neden olan kritik voltaj, diyot ters arıza voltajı olarak adlandırılır.. Diyotların performansını ve uygulama aralığını karakterize eden diyot özellikleri esas olarak ileri gerilim düşüşü (VF),ters sızıntı akımı (IR) ve ters arıza voltajı (VR). Diyot özellikleri - Ön gerilim düşüşü (VF) Belirtilen ileri akım altında,diodun ileri gerilim düşüşü,diodun yürütebileceği en düşük ileri gerilimdir. Düşük akımlı silikon diodların ileri gerilim düşüşü yaklaşık 0.6-0..8 V orta akım seviyelerinde;germaniyum diyotlarının ileri gerilim düşüşü yaklaşık 0.2-0.3 V'dir;yüksek güçlü silikon diyotların ileri gerilim düşüşü genellikle 1 V'ye ulaşır.Sınav sırasında,Diyotun çalışma akımının büyüklüğüne göre farklı test aletlerini seçmek gerekir.: çalışma akımı 1A'dan küçük olduğunda,ölçüm için S serisi kaynak ölçüm ölçüm cihazını kullanın;akım 1 ila 10A arasında olduğunda,P serisi darbe kaynağı ölçüm ünitesini kullanmanız önerilir.;HCP serisi yüksek akımlı masaüstü darbeleri kaynağı 10 ~ 100A için önerilmektedir; HCPL100 yüksek akımlı darbeler güç kaynağı 100A'nın üzerinde için önerilmektedir. Diyot özellikleri - Ters bozulma voltajı (VR) Diyotun malzemesine ve yapısına bağlı olarak,kırılma voltajı da farklıdır.300V'den düşükse,S serisi masaüstü kaynak ölçüm ünitesini kullanmanız önerilir.ve 300V'den yüksekse E serisi yüksek gerilim kaynağı ölçüm ünitesini kullanmanız önerilir.. Yüksek akım testi sırasında, test kurşununun direnci göz ardı edilemez ve kurşun direnci etkisini ortadan kaldırmak için dört tel ölçüm modu gereklidir.Tüm PRECISE kaynak ölçüm metreleri dört tel ölçüm modunu destekler. Düşük seviye akımları (